直擊慕尼黑華南電子展 | 蓉矽半導體圓滿收官！
[ 來源：蓉矽半導體 時間：2022-11-18 閱讀：1999次 ]
11月17日，為期三天的慕尼黑華南電子展成功收官。蓉矽半導體作為參展商，攜NovuSiC? 1200V碳化硅二極管和NovuSiC? 1200V MOSFET系列產品驚艷亮相，現場演示電機驅動，吸引了眾多硬科技從業者和產業界人士駐足觀看、詢問交流。
本次展會展出產品在新能源汽車、直流充電樁、光伏系統等高增量市場表現亮眼。
在20kW直流充電模塊中，與硅基器件相比，蓉矽NovuSiC?方案可減少器件數量50%；降低總損耗50%以上；提升效率約2%，峰值可達97%以上。
在11kW光伏逆變器應用中，相較FRD， NovuSiC? EJBS?可降低約30%的系統總損耗，分別降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二極管溫升。
在500W便攜式儲能電源應用中，相較FRD，蓉矽半導體理想硅基二極管MCR?器件可降低18.7%的損耗和13℃的器件結溫；在損耗不變的前提下，可提升50%的開關頻率，縮小磁性器件體積約30%。
2022年度慕尼黑華南電子展雖已落下帷幕，但蓉矽半導體的前進腳步從未停止，感謝所有到場客戶的厚愛與支持，也歡迎新老朋友來電咨詢，我們將竭誠為您提供先進解決方案。