蓉矽IIC Shanghai 2023火熱現場回顧
3月30日，為期兩天的2023國際集成電路展覽會暨研討會在上海國際會議中心落下帷幕。作為中國最具影響力的IC和系統設計盛會，IIC 2023聚焦綠色能源、汽車電子、智慧工業等領域，打造了覆蓋電子產業的年度嘉年華。蓉矽半導體受邀參加本次展會。
蓉矽半導體致力于碳化硅(SiC)功率器件設計與開發，本次參展攜碳化硅二極管EJBS?、碳化硅MOSFET、硅基二極管MCR?與光伏逆變器、便攜式儲能電源、800V電池平臺直流充電樁等先進解決方案，得到了一眾參展客戶的好評和認可。
蓉矽方案助力電力、交通系統節碳減排
第二屆“碳中和”暨綠色能源電子產業可持續發展高峰論壇是本次展會的重要內容，蓉矽半導體碳化硅功率器件在助力電力系統和交通系統節碳減排方面帶來了解決方案。
蓉矽半導體副總裁、研發中心總經理高巍博士指出，面對碳排放交易體系帶來的機會和挑戰，蓉矽半導體一方面通過持續優化產品結構來降低器件損耗、優化系統能耗，減少二氧化碳排放；另一方面在產品研發、供應鏈管理、運營管理、包裝和運輸等環節嚴控排碳成本，助力環保進程。
高巍博士強調，構建以新能源為主體的新型電力系統，需要提高電力供應量和核心技術裝備自主化水平，保障電力系統的安全穩定運行。蓉矽半導體堅持自主正向研發，以應用需求為出發點，著力解決市場痛點。在研的2000V碳化硅EJBS?和MOSFET就是專門為1500V光伏和儲能系統開發的。
市場上現有的功率半導體器件多為1200V、1700V和3300V這三個耐壓等級，應用于1500V系統時，1200V器件需要設計為三電平拓撲，較為復雜；1700V器件則耐壓不夠，效率低下；3300V器件面臨成本過高的問題。因此，針對1500V光伏和儲能系統的新需求，蓉矽半導體專門開發了2000V碳化硅EJBS?和MOSFET，采用兩電平拓撲，簡化系統設計的同時提高了系統效率。隨著蓉矽產品化的快速迭代和市場推進，低成本高光伏的產品組合，將為國家的高光伏發電率提供相關效率保障。
關于蓉矽半導體
成都蓉矽半導體有限公司成立于2019年，是四川省首家專注碳化硅功率器件設計與開發的高新技術企業，擁有臺灣漢磊科技第一優先級產能保障，致力于自主開發世界一流水平的車規級碳化硅器件。
蓉矽半導體擁有高性價比“NovuSiC?”和高可靠性“DuraSiC?”產品系列，涵蓋碳化硅二極管EJBS?與碳化硅MOSFET；硅基FR MOS與理想硅基二極管MCR?，應用于光伏逆變器、儲能、充電樁、OBC及新能源汽車等領域。
蓉矽半導體擁有德國萊茵ISO 9001質量管理體系認證，涵蓋設計、晶圓制造和封測等環節，建立了材料、外延、制造與封裝測試均符合IATF 16949的完整供應鏈，嚴格按照AEC-Q101標準考核驗證。在國內率先投資引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 測試系統，保障碳化硅晶圓出廠質量與可靠性超越行業最高標準。