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蓉矽SiC二極管擁有高性價比"NovuSiC^?"和高可靠性"DuraSiC^?"系列。

SiC EJBS? (Enhanced Junction Barrier Schottky):11倍高抗浪涌電流；

硅基理想二極管MCR^?（MOS-Controlled Rectifier):175?C高結溫性能。

蓉矽SiC MOSFET擁有高性價比"NovuSiC^?"和高可靠性"DuraSiC^?"系列。

NovuSiC^?/DuraSiC^?? MOSFET具有超低動態優值（Ron*Qgd）；

硅基FR MOS（Fast Recovery MOSFET)具有超低體二極管反向恢復電流。