傳統的JBS用P型注入格柵對肖特基接觸進行電場削弱，以此來降低肖特基接觸在阻斷狀態下的漏電流。但是由于JBS表面為肖特基接觸，金屬與P型格柵形成了反向偏置的勢壘層，因此P型格柵和N型襯底之間無法形成PIN二極管。
但是EJBS采用更加優化的RTA以及P型格柵設計，使得EJBS的PIN二極管可以在更低的電壓下導通。這樣帶來的好處是EJBS在承受浪涌電流時可以及時地進入雙極導通狀態，降低浪涌電流產生的熱累積。
通常情況下，傳統JBS IFSM@(10ms, half sine)僅能到達7倍左右，但是EJBS能夠大于10倍。
蓉矽半導體NovuSiC?碳化硅MOSFET G1&G2是平面結構，并將在此基礎上推出單片集成的碳化硅MOSFET產品，以改善其體二極管特性。
另外，蓉矽半導體已經擁有溝槽結構MOSFET的國內與國際授權專利，具備溝槽型MOSFET設計開發能力。
蓉矽半導體初代G1平面型產品的Ron,sp為4.2mΩ·cm2，Qgd=22nC，電性能已經達到國際先進水平。按照技術發展路徑，第二代G2的性能將會超越當前國際標準。
在此基礎上，蓉矽半導體擁有定制化能力，可以針對客戶應用需求進行特定規格的開發。
蓉矽半導體碳化硅二極管首次流片良率即達97%，碳化硅MOSFET首次流片良率為91.2%，均為一次流片成功。這在半導體行業是非常高的榮譽，也贏得了供應商的高度認可。
其次，蓉矽半導體非常重視供應鏈資源整合，與襯底、外延及fab廠商均建立了戰略合作伙伴關系與技術合作開發，可以確保供應商的優先支持和穩定供貨。
從材料到客戶，我們將每一環節都集成在完整的流程鏈條中，確保自下而上和自上而下兩種方向的信息均能高效流通和互聯，對整個供應鏈系統進行協調、操作、控制、優化。
