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公司簡介

成都蓉矽半導體有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 成立于2019年,是致力于第三代寬禁帶半導體碳化硅(SiC)功率器件設計與開發的高新技術企業。

蓉矽擁有一支掌握碳化硅核心技術的國際化團隊,整合臺灣與歐洲先進碳化硅制造工藝平臺,結合大陸封測和應用解決方案,建立了材料、外延、晶圓制造與封裝測試均符合IATF 16949質量管理標準的完整供應鏈,獨立自主開發世界一流水平的車規級碳化硅器件。

蓉矽碳化硅產品分為高性價比的“NovuSiC?”和高可靠性的“DuraSiC?”系列。產品涵蓋碳化硅EJBS? (Enhanced Junction Barrier Schottky)二極管與碳化硅MOSFET;硅基產品有175?C高結溫的理想二極管MCR?(MOS-Controlled Rectifier)及FRMOS(Fast Recovery MOSFET)。廣泛應用于工控電源、工業電機、光伏逆變、儲能、充電樁及新能源汽車等領域。




23
知識產權
18
發明
5
實用新型專利
3
PCT
發展歷程
2024.04
第二代車規級SiC MOSFET正式發布
蓉矽半導體第二代NovuSiC? 1200V 20mΩ SiC MOSFET正式發布
2024.04
2024.03
通過AEC-Q101車規級可靠性認證
2024.03
2023.12
《2023 碳化硅(SiC)產業調研白皮書》正式發布
蓉矽半導體參編《2023 碳化硅(SiC)產業調研白皮書》,助力產業加速發展創新
2023.12
2023.11
四川省專精特新中小企業認定
蓉矽半導體順利通過2023年度四川省專精特新中小企業認定
2023.11
2023.09
NEPCON Japan 2023日本國際電子展
蓉矽半導體攜明星產品亮相NEPCON Japan 2023 日本國際電子展,加速拓展海外市場
2023.09
2023.05
WLTBI系統啟動儀式
蓉矽半導體WLTBI系統啟動儀式在成都總部進行,切實保障SiC MOSFET柵極氧化層可靠性
2023.05
2023.04
1200V 12mΩ NovuSiC? MOSFET
蓉矽半導體1200V 12mΩ NovuSiC? MOSFET量產
2023.04
2023.03
通過ISO三大體系認證
蓉矽半導體順利通過德國萊茵TüV集團ISO“質量、環境、健康”三大體系認證
2023.03
2023.02
與臺灣漢磊科技成為長期戰略合作伙伴
漢磊科技將蓉矽半導體代工產品優先級列為第一等級
2023.02
2022.11
高新技術企業認定
蓉矽半導體順利獲批四川省2022年第一批高新技術企業
2022.11
2022.09
線上新品發布會成功舉辦
蓉矽半導體第一代碳化硅MOSFET正式發布
2022.09
2022.08
順利完成Pre-A輪融資
敬請關注9月27日線上新品發布會
2022.08
2022.06
舉辦“芯見未來”產品發布會
發布自主開發的NovuSiC? EJBS?和理想硅基MCR?二極管系列產品
2022.06
2022.01
SiC二極管(G1)量產
1200V/20A EJBS?二極管正式量產
2022.01
2021.12
訂單金額達300萬
硅基MCR?訂單金額達300萬
2021.12
2021.10
SiC MOSFET(G1) 量產
SiC MOSFET(G1) 1200V/75mΩ 正式量產
2021.10
2021.05
SiC MOSFET(G1)開發成功
1200V/75mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即達91.2%良率
2021.05
2021.03
天使輪融資完成
進行MCR產品優化及SiC產品量產
2021.03
2021.01
硅基MCR科技成果轉化
電子科大功率集成技術實驗室專利突破性硅基理想二極管
2021.01
2020.11
SiC二極管(G1)開發成功
1200V/20A EJBS? SiC二極管首次工程流片即達97%良率
2020.11
2019.12
蓉矽半導體成立
設立于成都市高新區外資矽能科技功率半導體孵化器
2019.12
質量管理體系

蓉矽半導體擁有ISO 9001質量管理體系認證,建立了IATF 16949供應鏈體系,嚴控產業鏈。

在全國范圍內率先投資引入國際先進WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 測試系統,確保碳化硅晶圓出廠質量與可靠性達到行業最高標準。

蓉矽出品的產品均嚴格執行AEC-Q101標準,并在此基礎上創造性地提出了公司內部的AEC-Q101+標準,稱之為 NovuSuperior