4月23日，以“新能源 芯時代”為主題的“CIAS2024功率半導體新能源創新發展大會在蘇州獅山國際會議中心圓滿舉行。
榮獲雙獎，再接再厲
在當天晚上的CIAS金翎獎頒獎典禮上，蓉矽半導體1200V/75mΩ NovuSiC? MOSFET和1200V/40mΩ DuraSiC? MOSFET分別榮獲：
“2024 年度最具市場力產品獎”“2024 年度最具創新力產品獎”雙料獎項，證明了蓉矽半導體卓越的產品價值和充分的市場認可。
4月24日，蓉矽半導體研發中心總經理高巍博士受邀出席汽車電子創新論壇并作主題演講。
高可靠性車載SiC功率器件是高質量國產替代的關鍵
在演講中，他首先指出，SiC作為第三代半導體材料，因其材料性能推動了器件性能的提升，繼而帶動了系統性能的優化，在OBC和主逆變應用中，可有效降低系統損耗和成本，提高系統效率，是新能源汽車應用的主流趨勢。與此同時，車載應用需要滿足嚴苛的高可靠性要求，這對產品供應商的設計工藝、質量管理體系、供應鏈體系等提出了挑戰。
針對上述問題，蓉矽半導體在常規UIS、DVDS篩選的基礎上，增加了高應力測試項目以刪除早期失效產品；降低工作狀態下的柵氧化層電場強度，有效緩解因隧穿電流造成的退化，延長器件壽命、降低器件偶發失效率。
為保障柵氧可靠性，蓉矽半導體采取了以下對策：
1. 增加柵氧化層厚度柵極氧化層的可靠性隨氧化層厚度的增加而呈指數級提高，但導通電阻僅呈線性增加。蓉矽半導體通過優化柵氧化層厚度與電阻的關系，在保證導通電阻的前提下采用更厚的柵氧，保證電性能的同時提高了柵氧可靠性。
2. 在晶圓測試階段引入WLTBI
晶圓測試階段引入WLTBI（Wafer-Level Test & Burn-In）在高溫度/電壓應力的作用下，篩除SiC MOSFET中早期失效和偶發失效過渡區域內存在風險的器件。依托蓉矽半導體自建的柵氧壽命評估模型，通過WLTBI的老化篩選，完全可以滿足柵氧20年壽命的車規要求。
在CIAS2024功率半導體新能源創新發展大會上，蓉矽半導體正式發布第二代SiC MOSFET。
新品發布，創新不止
在展會現場，蓉矽半導體正式發布第二代1200V SiC MOSFET產品，獲取更多產品信息可聯系銷售經理：
劉先生 (全國) ：18082837494
任女士 (西北) ：18566785563
關于“金翎獎”
“金翎獎”評選活動是由CIAS組委會組織并公開舉辦的行業專業評選，創辦于2021年，旨在推動車規級功率半導體產業發展，鼓勵技術創新、提升企業品牌價值，展望行業和企業未來發展。迄今為止，共計超500家功率半導體企業報名、約350款功率半導體產品申報，吸引30萬+專業讀者在線投票，是高含金量的功率半導體行業大獎。